电路实验戴维南心得体会总结 电路戴维南定理实验报告(5篇)

在平日里，心中难免会有一些新的想法，往往会写一篇心得体会，从而不断地丰富我们的思想。我们如何才能写得一篇优质的心得体会呢？下面我给大家整理了一些心得体会范文，希望能够帮助到大家。

最新电路实验戴维南心得体会总结一

乙方：

甲方是竹馨居二标段的总承包单位，乙方是竹馨居3#、5#楼铝合金窗工程的安装单位。为贯彻“安全第一，预防为主”方针，明确双方的安全责任，确保施工中人身、电网和设备安全，根据国家有关法律法规，经双方协商一致签订本协议。

第一条 工程项目：

第二条 施工地址：

第三条 甲方安全责任

1、开工前甲方对乙方进行施工安全技术交底，并应有书面记录或资料。

2、甲方应要求乙方制定施工安全措施，在开始施工前报甲方备案。

3、甲方有协助乙方搞好安全生产、防火管理以及督促检查的义务。甲方有权检查督促乙方执行有关安全生产方面的工作规定，对乙方不符合安全文明施工的行为进行制止、纠正并发出安全整改通知书，逾期未整改处以罚款处罚。

4、甲方指派 同志负责与乙方联系安全生产方面的工作。

5、乙方动火施工必须经甲方同意，并签署动火许可令，乙方方可施工。

6、甲方有权对乙方参与施工的人员进行安全技术知识和安全工作规程的抽考。

7、乙方在施工中发生的甲方电路、设备事故，甲方有责任负责调查，落实责任并做处罚。乙方在施工中如发生国务院《特别重大事故调查程序暂行规定》所规定的特大事故，甲方有权督促乙方立即通知当地政府和公安部门，要求派人保护现场;并有权要求乙方提供事故调查书面结论及处理意见。

8、发生以下情况停工整顿，因停工造成的违约责任由乙方承担：

(1)人身伤亡事故;

(2)发生施工机械、生产主设备严重损坏事故;

(3)发生场内火灾事故;

(4)发生违章作业、冒险作业不听劝告的;

(5)施工现场脏、乱、差，不能满足安全和文明施工要求的。

第四条 乙方安全责任 乙方作为工程项目的承包单位，对工程施工过程中发生的人身伤亡、设备损坏事故、火灾事故承担全部安全及经济责任。

乙方应切实履行以下安全责任：

1、乙方所提供的承包工程要求的相关资质证明材料应真实、合法、有效。

2、乙方必须贯彻执行国家有关安全生产的法律法规，必须制定相应的安全管理制度;严格执行甲方有关安全生产文明施工的规定和制度。

3、现场施工应遵守国家和地方关于劳动安全，劳务用工法律法规及规章制度，保证其用工的合法性。乙方必须按国家有关规定，为施工人员进行人身保险，配备合格的劳动防护用品、安全用具。

4、施工期间，乙方应设有专职安监人员。乙方指派 作为安全工作联系人。

5、乙方一切施工活动，必须编制安全施工措施，施工前对全体施工人员进行全面的安全技术交底，并在整个施工过程正确、完整地执行，无措施或未交底严禁布置施工。

6、乙方用于本工程项目的施工机械、工器具及安全防护用具的数量和质量必须满足施工需要，并经有资质检验单位检验符合安全规定，乙方对因使用工器具不当所造成的人员伤害及设备损坏承担所有责任。

7、开工前，乙方应组织全体施工人员进行安全教育，并将参加安全教育人员名单(包括临时增补或调换人员)与考试成绩报给甲方备案。特种作业人员必须有有关部门核发的合格有效的上岗资格证书。

8、开工前，乙方应组织人员对施工区域、作业环境及使用甲方提供的设施设备、工器具等进行检查，确认符合安全要求，一经开工，就表示乙方已确认施工现场、作业环境、设施设备、工器具符合安全要求并处于安全状态。

9、乙方应在施工范围装设临时围栏或警告标志，不得超越指定的施工范围进行施工，禁止无关人员进入施工现场。未经甲方同意，乙方不得擅自使用与施工无关的甲方设施设备;不得擅自拆除、变更甲方防护设施及标示。 10、乙方施工过程中需使用电、水源，应事先与甲方取得联系，不得私拉乱接。中断作业或遇故障应立即切断有关开关。

11、乙方施工过程中应做到工完、料尽、场地清，确保安全文明施工。

12、乙方必须接受甲方的监督、检查，对甲方提出的安全整改意见必须及时整改。

13、乙方施工过程中发生人生伤亡、电网和设备事故或危及生产运行的不安全情况，应立即报告甲方，并积极配合调查。

14、乙方应加强防火管理，及时发现整改火灾隐患，对发生的火灾事故承担全部责任。

15、乙方用电从甲方配电箱挂电表，按电表的实际度数缴纳电费，严禁乙方不经过电表从其他电箱接电，一经发现罚款 元。

乙方应执行国务院《特别重大事故调查程序暂行规定》、《企业职工伤亡事故报告和处理规定》和《电业生产事故调查规程》。对人员在施工中发生的人身伤亡事故，还必须立即用电话、电传或电报等向事故所在地的政府安全管理部门、公安部门、工会报告，按规定组织调查处理，并由乙方统计上报;如发生国务院《特别重大事故调查程序暂时规定》所规定的特大事故，还应立即通知当地政府、公安部门，并要求派人保护现场。 乙方应将事故调查组的事故调查报告及乙方事故处理意见提交甲方备案。

第五条 甲乙双方联系方式及响应时间：甲乙双方应以工作联系单、传真、电传等书面形式送达对方。双方在接到对方的书面联系时，应于4小时内予以响应。 第六条 施工安全保证金 乙方出 元作为安全保证金。乙方在施工过程中未发生人身伤亡、电网和设备及以上事故，于工程竣工验收后将该保证金全额退还;若施工过程中发生下列有乙方责任的安全事故，扣除相应数额的安全保证金：

(1)发生人身死亡事故、电网和设备重大事故、火灾事故，扣除全部安全保证金;

(2)发生人身重伤事故、电网和设备事故，扣除50%安全保证金;

(3)乙方人员发生违章行为的经济处罚，按处罚规定从安全保证金内扣除。

第七条 违约责任

1、由于乙方责任造成对方或第三方的人身伤害、设备损坏等财产损失，由责任方承担相应责任，并赔偿对方或第三方因此造成的全部损失。

2、合同履行中，发现乙方提供的有关资质材料无效，甲方有权解除合同，并由乙方承担由此造成的一切损失。 3、发现乙方现场作业人员有违章行为的，比照甲方有关安全生产奖惩规定对甲方职工相类似的违章行为应扣款数额，承担相应的违约金。

4、乙方未设置安监人员;未能正确、全面执行安全技术措施、施工组织设计;施工人员未掌握本工程项目特点及施工安全措施;用于本工程项目的施工机械、工器具及安全防护用品不满足施工需要，甲方有权要求乙方立即停工整改，由此引起的后果及损失由乙方承担。

5、乙方人员安全工作规程抽考不合格，乙方应承担 元/人次的违约责任;特种人员无证上岗乙方应承担 元/人次的违约责任。

6、乙方使用甲方提供的设施设备、工器具等造成损坏的，应照价赔偿。

7、乙方人员无故到其他生产区域或擅自动用甲方的设施设备等，乙方按 元/人次承担违约责任。

8、乙方对甲方提出的安全整改意见不及时整改的，每逾期一天，乙方按 元/天承担违约责任。

9、施工过程中发生人身伤亡、电网和设备事故有隐瞒行为的，除接受政府有关部门处理外，过错方应承担 元/次的违约责任。

第八条 甲乙双方约定的其他事项：无

第九条 本协议执行过程中，如发生争议，由双方协商、调解解决;若经协商、调解不能解决争议的，任何一方可以向当地人民法院提起诉讼。

第十条 甲乙双方必须严格执行本协议，本协议的法律效力独立于主合同。

甲方盖章： 乙方盖章:

代表： 代表：

签订日期： 签订日期：

最新电路实验戴维南心得体会总结二

1、为何在拉伸试验中必须采用标准试件或比例试件，材料相同而长短不同的试件延伸率是否相同？

答：拉伸实验中延伸率的大小与材料有关，同时与试件的标距长度有关。试件局部变形较大的断口部分，在不同长度的标距中所占比例也不同。因此拉伸试验中必须采用标准试件或比例试件，这样其有关性质才具可比性。材料相同而长短不同的试件通常情况下延伸率是不同的（横截面面积与长度存在某种特殊比例关系除外）。

2、分析比较两种材料在拉伸时的力学性能及断口特征。

答：试件在拉伸时铸铁延伸率小表现为脆性，低碳钢延伸率大表现为塑性；低碳钢具有屈服现象，铸铁无。低碳钢断口为直径缩小的杯锥状，且有450的剪切唇，断口组织为暗灰色纤维状组织。铸铁断口为横断面，为闪光的结晶状组织。

3、分析铸铁试件压缩破坏的原因。

答：铸铁试件压缩破坏，其断口与轴线成45°~50°夹角，在断口位置剪应力已达到其抵抗的最大极限值，抗剪先于抗压达到极限，因而发生斜面剪切破坏。

4、低碳钢与铸铁在压缩时力学性质有何不同结构工程中怎样合理使用这两类不同性质的材料？

答：低碳钢为塑性材料，抗压屈服极限与抗拉屈服极限相近，此时试件不会发生断裂，随荷载增加发生塑性形变；铸铁为脆性材料，抗压强度远大于抗拉强度，无屈服现象。压缩试验时，铸铁因达到剪切极限而被剪切破坏。通过试验可以发现低碳钢材料塑性好，其抗剪能力弱于抗拉；抗拉与抗压相近。铸铁材料塑性差，其抗拉远小于抗压强度，抗剪优于抗拉低于抗压。故在工程结构中塑性材料应用范围广，脆性材料最好处于受压状态，比如车床机座。

5、试件的尺寸和形状对测定弹性模量有无影响为什么？

答：弹性模量是材料的固有性质，与试件的尺寸和形状无关。

6、逐级加载方法所求出的弹性模量与一次加载到最终值所求出的弹性模量是否相同为什么必须用逐级加载的方法测弹性模量？

答：逐级加载方法所求出的弹性模量与一次加载到最终值所求出的弹性模量不相同，采用逐级加载方法所求出的弹性模量可降低误差，同时可以验证材料此时是否处于弹性状态，以保证实验结果的可靠性。

7、试验过程中，有时候在加砝码时，百分表指针不动，这是为什么应采取什么措施？

答：检查百分表是否接触测臂或超出百分表测量上限，应调整百分表位置。

8、测g时为什么必须要限定外加扭矩大小？

答：所测材料的g必须是材料处于弹性状态下所测取得，故必须控制外加扭矩大小。

9、碳钢与铸铁试件扭转破坏情况有什么不同分析其原因。

答：碳钢扭转形变大，有屈服阶段，断口为横断面，为剪切破坏。铸铁扭转形变小，没有屈服阶段，断口为和轴线成约45°的螺旋形曲面，为拉应力破坏。

10、铸铁扭转破坏断口的倾斜方向与外加扭转的方向有无直接关系为什么？

答：有关系。扭转方向改变后，最大拉应力方向随之改变，而铸铁破坏是拉应力破坏，所以铸铁断口和扭转方向有关

11、实验时未考虑梁的自重，是否会引起测量结果误差为什么？

答：施加的荷载和测试应变成线性关系。实验时，在加外载荷前，首先进行了测量电路的平衡（或记录初读数），然后加载进行测量，所测的数（或差值）是外载荷引起的，与梁自重无关。

12、画出指定a、b点的应力状态图。a点b点σx σx τ τ

13、db db测取弯曲正应力测取扭转剪应力

14、压杆稳定实验和压缩实验有什么不同答：不同点有：

1、目的不同：压杆稳定实验测临界力，压缩实验测破坏过程中的机械性能。

2、试件尺寸不同：压杆试件为大柔度杆，压缩试件为短粗件。

3、约束不同：压杆试件约束可变，压缩试件两端有摩擦力。

4、实验现象不同：压杆稳定实验试件出现侧向弯曲，压缩实验没有。

5、承载力不同：材料和截面尺寸相同的试件，压缩实验测得的承载力远大于压杆稳实实验测得的。

6、实验后试件的结果不同：压杆稳定试件受力在弹性段，卸载后试件可以反复使用，而压缩件已经破坏掉了，不能重复使用。

最新电路实验戴维南心得体会总结三

这节课主要目的是：1、认识几种电路中常用的元件，2、知道开关的作用并能用开关控制电流。3、会连接简单的电路。

为此，课一开始我就开门见山地带领学生认识灯泡，同时观看灯泡的剖面图，为下面了解电流在电路中是怎样流动地埋下伏笔。接着提出：在什么样的情况下灯泡会亮？引出电源，告诉学生生活中插座中的电不可以做实验，因而引出电池再次思考：有了电池灯泡就可以亮了吗？引出导线。在学生充分认识材料的基础上，我让学生利用提供画好的电池和剪好的灯泡，设计一个可以让灯泡亮起来的电路。电路图设计好后，学生心中非常期待自己的设计能否成功，抓住学生的求知欲望。让他们利用提供的材料检验一下自己设计的灯泡是否能亮。让能亮的同学介绍自己的连接方法，从而找到他们连接的共同点：灯泡的两个锡点要分别和电池正负极相连接。一个问题：为什么这样连灯泡就可以亮了呢？利用多媒体让学生清晰地看到电流在电路中的流动情况。同时介绍通路，在通过查找不亮的电路图中相机介绍断路和短路。然后让学生对有问题的电路图再次修改并且检验一下。

在学生初步了解电路的基础上，让学生试着利用开关来控制灯泡的亮与不亮，同时介绍了两个好工具的使用方法，电池盒和灯座。再次让学生连接一个简单的电路。从而对简单电路有了更深的认识。

需要改进的

1、 生活中各种电池该向学生介绍一下，其实我已经做好了ppt可是在

课堂中给忘记了。

2、 可以把灯泡换做其他的用电器如喇叭，小电机，让学生更能了解到

电的作用，丰富学生对电的了解。

3、 在教学过程中，我没有仔细地发现学生是否有用一根导线、一个小

灯泡和一节电池这些材料，使小灯泡亮起来。如果有的话应该向学

生开始一下。让学生充分了解到只要在一个闭合的回路中灯泡就可

以亮。

4、 科学课堂的驾驭能力和科学术语的表达需要多加学习。

最新电路实验戴维南心得体会总结四

摘要：热敏电阻是阻值对温度变化非常敏感的一种半导体电阻，具有许多独特的优点和用途，在自动控制、无线电子技术、遥控技术及测温技术等方面有着广泛的应用。本实验通过用电桥法来研究热敏电阻的电阻温度特性，加深对热敏电阻的电阻温度特性的了解。

关键词：热敏电阻、非平衡直流电桥、电阻温度特性

1、引言

热敏电阻是根据半导体材料的电导率与温度有很强的依赖关系而制成的一种器件，其电阻温度系数一般为（-0.003~ 0.6）℃-1。因此，热敏电阻一般可以分为:

ⅰ、负电阻温度系数（简称ntc）的热敏电阻元件

常由一些过渡金属氧化物（主要用铜、镍、钴、镉等氧化物）在一定的烧结条件下形成的半导体金属氧化物作为基本材料制成的，近年还有单晶半导体等材料制成。国产的主要是指mf91~mf96型半导体热敏电阻。由于组成这类热敏电阻的上述过渡金属氧化物在室温范围内基本已全部电离，即载流子浓度基本上与温度无关，因此这类热敏电阻的电阻率随温度变化主要考虑迁移率与温度的关系，随着温度的升高，迁移率增加，电阻率下降。大多应用于测温控温技术，还可以制成流量计、功率计等。

ⅱ、正电阻温度系数（简称ptc）的热敏电阻元件

常用钛酸钡材料添加微量的钛、钡等或稀土元素采用陶瓷工艺，高温烧制而成。这类热敏电阻的电阻率随温度变化主要依赖于载流子浓度，而迁移率随温度的变化相对可以忽略。载流子数目随温度的升高呈指数增加，载流子数目越多，电阻率越校应用广泛，除测温、控温，在电子线路中作温度补偿外，还制成各类加热器，如电吹风等。

2、实验装置及原理

【实验装置】

fqj—ⅱ型教学用非平衡直流电桥，fqj非平衡电桥加热实验装置（加热炉内置mf51型半导体热敏电阻（2.7kω）以及控温用的温度传感器），连接线若干。

【实验原理】

根据半导体理论，一般半导体材料的电阻率 和绝对温度 之间的关系为

（1—1）

式中a与b对于同一种半导体材料为常量，其数值与材料的物理性质有关。因而热敏电阻的电阻值 可以根据电阻定律写为

（1—2）

式中 为两电极间距离， 为热敏电阻的横截面， 。

对某一特定电阻而言， 与b均为常数，用实验方法可以测定。为了便于数据处理，将上式两边取对数，则有

（1—3）

上式表明 与 呈线性关系，在实验中只要测得各个温度 以及对应的电阻 的值，

以 为横坐标， 为纵坐标作图，则得到的图线应为直线，可用图解法、计算法或最小二乘法求出参数 a、b的值。

热敏电阻的电阻温度系数 下式给出

（1—4）

从上述方法求得的b值和室温代入式（1—4），就可以算出室温时的电阻温度系数。

热敏电阻 在不同温度时的电阻值，可由非平衡直流电桥测得。非平衡直流电桥原理图如右图所示，b、d之间为一负载电阻 ，只要测出 ，就可以得到 值。

当负载电阻 → ，即电桥输出处于开

路状态时， =0，仅有电压输出，用 表示，当 时，电桥输出 =0，即电桥处于平衡状态。为了测量的准确性，在测量之前，电桥必须预调平衡，这样可使输出电压只与某一臂的电阻变化有关。

若r1、r2、r3固定，r4为待测电阻，r4 = rx，则当r4→r4 △r时，因电桥不平衡而产生的电压输出为：

（1—5）

在测量mf51型热敏电阻时，非平衡直流电桥所采用的是立式电桥 ， ，且 ，则

（1—6）

式中r和 均为预调平衡后的电阻值，测得电压输出后，通过式（1—6）运算可得△r，从而求的 =r4 △r。

3、热敏电阻的电阻温度特性研究

根据表一中mf51型半导体热敏电阻（2.7kω）之电阻~温度特性研究桥式电路，并设计各臂电阻r和 的值，以确保电压输出不会溢出（本实验 =1000.0ω， =4323.0ω）。

根据桥式，预调平衡，将“功能转换”开关旋至“电压“位置，按下g、b开关，打开实验加热装置升温，每隔2℃测1个值，并将测量数据列表（表二）。

表一 mf51型半导体热敏电阻（2.7kω）之电阻～温度特性

温度℃ 25 30 35 40 45 50 55 60 65

电阻ω 2700 2225 1870 1573 1341 1160 1000 868 748

表二 非平衡电桥电压输出形式（立式）测量mf51型热敏电阻的数据

i 9 10

温度t℃ 10.4 12.4 14.4 16.4 18.4 20.4 22.4 24.4 26.4 28.4

热力学t k 283.4 285.4 287.4 289.4 291.4 293.4 295.4 297.4 299.4 301.4

0.0 -12.5 -27.0 -42.5 -58.4 -74.8 -91.6 -107.8 -126.4 -144.4

0.0 -259.2 -529.9 -789 -1027.2 -124.8 -1451.9 -1630.1 -1815.4 -1977.9

4323.0 4063.8 3793.1 3534.0 3295.8 3074.9 2871.692.9 2507.6 2345.1

根据表二所得的数据作出 ～ 图，如右图所示。运用最小二乘法计算所得的线性方程为 ，即mf51型半导体热敏电阻（2.7kω）的电阻～温度特性的数学表达式为 。

4、实验结果误差

通过实验所得的mf51型半导体热敏电阻的电阻—温度特性的数学表达式为 。根据所得表达式计算出热敏电阻的电阻～温度特性的测量值，与表一所给出的参考值有较好的一致性，如下表所示：

表三 实验结果比较

温度℃ 25 30 35 40 45 50 55 60 65

参考值rt ω 2700 2225 1870 1573 1341 1160 1000 868 748

测量值rt ω 2720 2238 1900 1587 1408 1232 1074 939 823

相对误差 % 0.74 0.58 1.60 0.89 4.99 6.20 7.40 8.18 10.00

从上述结果来看，基本在实验误差范围之内。但我们可以清楚的发现，随着温度的升高，电阻值变小，但是相对误差却在变大，这主要是由内热效应而引起的。

5、内热效应的影响

在实验过程中，由于利用非平衡电桥测量热敏电阻时总有一定的工作电流通过，热敏电阻的电阻值大，体积小，热容量小，因此焦耳热将迅速使热敏电阻产生稳定的高于外界温度的附加内热温升，这就是所谓的内热效应。在准确测量热敏电阻的温度特性时，必须考虑内热效应的影响。本实验不作进一步的研究和探讨。

6、实验小结

通过实验，我们很明显的可以发现热敏电阻的阻值对温度的变化是非常敏感的，而且随着温度上升，其电阻值呈指数关系下降。因而可以利用电阻—温度特性制成各类传感器，可使微小的温度变化转变为电阻的变化形成大的信号输出，特别适于高精度测量。又由于元件的体积小，形状和封装材料选择性广，特别适于高温、高湿、振动及热冲击等环境下作温湿度传感器，可应用与各种生产作业，开发潜力非常大。

参考文献：

[1] 竺江峰，芦立娟，鲁晓东。 大学物理实验[m]

[2] 杨述武，杨介信，陈国英。普通物理实验（二、电磁学部分）[m] 北京：高等教育出版社

[3] 《大学物理实验》编写组。 大学物理实验[m] 厦门：厦门大学出版社

[4] 陆申龙，曹正东。 热敏电阻的电阻温度特性实验教与学[j]

最新电路实验戴维南心得体会总结五

芯片解剖实验

学 号：

姓 名：

教 师：

年6月28日

实验一 去塑胶芯片的封装

同组人员：

一、实验目的

1.了解集成电路封装知识，集成电路封装类型。

2.了解集成电路工艺流程。

3.掌握化学去封装的方法。

二、实验仪器设备

1：烧杯，镊子，电炉。

2：发烟硝酸，弄硫酸，芯片。

3：超纯水等其他设备。

三、实验原理和内容

1..传统封装：塑料封装、陶瓷封装

（1）塑料封装（环氧树脂聚合物）

双列直插 dip、单列直插 sip、双列表面安装式封装 sop、四边形扁平封装 qfp 具有j型管脚的塑料电极芯片载体plcc、小外形j引线塑料封装 soj

（2）陶瓷封装

具有气密性好，高可靠性或者大功率

a.耐熔陶瓷（三氧化二铝和适当玻璃浆料）：针栅阵列 pga、陶瓷扁平封装 fpg

b.薄层陶瓷：无引线陶瓷封装 lccc

2..集成电路工艺

（1）标准双极性工艺

（2）cmos工艺

（3）bicmos工艺

3.去封装

1．陶瓷封装

一般用刀片划开。

2. 塑料封装

化学方法腐蚀，沸煮。

（1）发烟硝酸 煮（小火） 20~30分钟

（2）浓硫酸 沸煮 30~50分钟

四、实验步骤

1.打开抽风柜电源，打开抽风柜。

2.将要去封装的芯片（去掉引脚）放入有柄石英烧杯中。

3.带上塑胶手套，在药品台上去浓硝酸。向石英烧杯中注入适量浓硝酸。（操作时一定注意安全）

4.将石英烧杯放到电炉上加热，记录加热时间。（注意：火不要太大）

5.观察烧杯中的变化，并做好记录。

6.取出去封装的芯片并清洗芯片，在显微镜下观察腐蚀效果。

7.等完成腐蚀后，对废液进行处理。

五、实验数据

1：开始放入芯片，煮大约2分钟，发烟硝酸即与塑胶封转起反应，

此时溶液颜色开始变黑。

2：继续煮芯片，发现塑胶封装开始大量溶解，溶液颜色变浑浊。

3：大约二十五分钟，芯片塑胶部分已经基本去除。

4：取下烧杯，看到闪亮的芯片伴有反光，此时芯片塑胶已经基本去除。

六、结果及分析

1：加热芯片前要事先用钳子把芯片的金属引脚去除，因为此时如果不去除，它会与酸反应，消耗酸液。

2：在芯片去塑胶封装的时候，加热一定要小火加热，因为发烟盐酸是易挥发物质，如果采用大火加热，其中的酸累物质变会分解挥发，引起容易浓度变低，进而可能照成芯片去封装不完全，或者去封装速度较慢的情况。

3：通过实验，了解了去塑胶封装的基本方法，和去封装的一般步骤。

实验二 金属层芯片拍照

实验时间： 同组人员：

一、实验目的

1．学习芯片拍照的方法。

2．掌握拍照主要操作。

3. 能够正确使用显微镜和电动平台

二、实验仪器设备

1：去封装后的芯片

2：芯片图像采集电子显微镜和电动平台

3：实验用pc，和图像采集软件。

三、实验原理和内容

1：实验原理

根据芯片工艺尺寸，选择适当的'放大倍数，用带ccd摄像头的显微镜对芯片进行拍照。以行列式对芯片进行图像采集。注意调平芯片，注意拍照时的清晰度。2：实验内容

采集去封装后金属层照片。

四、实验步骤

1.打开拍照电脑、显微镜、电动平台。

2.将载物台粗调焦旋钮逆时针旋转到底（即载物台最低），小心取下载物台四英寸硅片平方在桌上，用塑料镊子小心翼翼的将裸片放到硅片靠中心的位置上，将硅片放到载物台。

3.小心移动硅片尽量将芯片平整。

4.打开拍照软件，建立新拍照任务，选择适当倍数，并调整到显示图像。（此处选择20倍物镜，即拍200倍照片）

5.将显微镜物镜旋转到最低倍5x，慢慢载物台粗调整旋钮使载物台慢慢上升，直到有模糊图像，这时需要小心调整载物台位置，直至看到图像最清晰。

6.观察图像，将芯片调平（方法认真听取指导老师讲解）。

10.观测整体效果，观察是否有严重错位现象。如果有严重错位，要进行重拍。

11.保存图像，关闭拍照工程。

12.将显微镜物镜顺时针跳到最低倍(即： 5x）。

13.逆时针旋转粗调焦旋钮，使载物台下降到最低。

14.用手柄调节载物台，到居中位置。

15.关闭显微镜、电动平台和pc机。

五、实验数据

采集后的芯片金属层图片如下：

六、结果及分析

1：实验掌握了芯片金属层拍照的方法，电动平台和电子显微镜的使用，熟悉了图像采集软件的使用方法。

2：在拍摄金属层图像时，每拍完一行照片要进行检查，因为芯片有余曝光和聚焦的差异，可能会使某些照片不清晰，对后面的金属层拼接照成困难。所以拍完一行后要对其进行检查，对不符合标准的照片进行重新拍照。

3：拍照是要保证芯片全部在采集视野里，根据四点确定一个四边形平面，要确定芯片的四个角在采集视野里，就可以保证整个芯片都在采集视野里。

4：拍照时的倍数选择要与工程分辨率保持一致，过大或过小会引起芯片在整个视野里的分辨率，不能达到合适的效果，所以采用相同的倍数，保证芯片的在视野图像大小合适。